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LPCVD氮化硅淀积工艺铁离子沾污研究
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明, 在氮化硅淀积工艺中, NH3和SiH2Cl2......
期刊
铁离子沾污
氮化硅
低压化学气相淀积
表面光电压
iron contamination
nitride
LPCVD
SPV
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